IPT60R022S7 دیتاشیت

IPT60R022S7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPT60R022S7
حجم فایل 82.994 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت IPT60R022S7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPT60R022S7
  • Power Dissipation (Pd): 390W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 23A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@1.44mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@10V,23A
  • Package: HSOF-8
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه